笔下文学

第35章 芯片未来（第2页）

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十多分钟后，直接散会。

散会后，秦牧直接跟林玲先是全面了解了下现在的情况，然后便来到芯片研发部这边。

现在芯片研发部的人三十多号人，绝大部分是研究生，仅有几个博士生。

芯片研发部的人见秦牧到来，纷纷起身。

秦牧见他们都站起来，便伸手向下压了压：“都坐都坐，我这次过来是想跟大家聊聊关于芯片上面的事情。”

众人在秦牧的示意下，又坐了回去。

“芯片这东西，大家都是高材生，对于这东西应该不陌生吧！”

“有没有人跟我介绍下，芯片这个东西是啥。”

秦牧问道。

现场安静了一会，一个女生从人群中站了起来。

“芯片，简单就是半导体元件，一块集成电路而已。”

秦牧看着这个回答问题的女生，林玲直接在他耳边简单说了下情况。

这是魔都交大的微电子工程专业的研究生，叫施莉娅。

秦牧朝着她点了点头，挥手示意她坐下。

“没错就是一块集成电路，因为晶体管的发明，使得可以将很多微型晶体管集中在一块小小的芯片上面。”

“现在的芯片核心材料都是单晶硅，所以芯片又叫硅基芯片。”

“硅基芯片，从电子管到晶体管，我们已经在硅基领域探索了数十年。”

“芯片的性能频率，从零点几MHz，到现在5。8MHz，这是几千倍的提升”

“制作的工艺，从零点几微米，到后面纳米级，14nm，10nm，到现在的6纳米，它未来的路在哪里？”

“这些相信大家都有了解，硅基芯片几乎已经到了瓶颈，所以我想问下大家，觉得芯片的未来在哪里？”

秦牧话刚落，大家就开始相互讨论了起来。

硅基芯片的物理极限在1nm。

按照晶圆厂们的工艺演进，3nm后的工艺是2nm，再之后的工艺是1。4nm。

因为硅基材料所限，硅基芯片性能的缺陷会变得愈发明显，无法再往1nm以下推进。

在工艺方面，硅基芯片出现了量子隧穿效应、原子掺杂涨落、功耗墙等现象。

在架构方面，出现了冯诺依曼架构的内存墙现象。

在晶体管原理方面，也出现了亚阈值摆幅的玻尔兹曼极限与工作电压的缩减极限。

所以硅基芯片的未来是可以预见的。

几分钟后，大家的讨论声才渐渐停了下来。

“你们能回答我这个问题吗？”秦牧看着他们问了一遍。

施莉娅旁边的男生站了起来。