而芯片是怎么制作出来的呢?
首先是制作晶圆,这东西其实就是硅石氯化再蒸馏,然后进行切片,切成片之后就是我们想要的硅片。
晶圆制作好,接下来就是第二步,在晶圆表面涂上光阻薄膜,这个薄膜能提升晶圆的抗氧化以及耐温能力,好在国内在这方面没什么问题,其实本身这玩意就没什么特别的。
真正的大头,在后面。
光刻机,就在这里起到极其至关重要的作用。涂膜之后的晶圆,需要使用紫外光通过光罩和凸透镜后照射到晶圆涂膜上,使其软化,然后使用溶剂将其溶解冲走,使薄膜下的硅暴露出来。
之后,才能使用刻蚀机在裸露出的硅上刻蚀出N阱和P阱,并注入离子,形成PN结,也就是逻辑闸门,然后通过化学和物理气象沉淀做出上层金属连接电路。
最后,就是晶圆测试和封装。
这就是一枚芯片的大概制作流程,现在知道了流程,再看看我们国内对于这枚小小的芯片有什么办法。
首先第一点,材料问题。
硅的评判指标就是纯度,如果硅里有一堆杂质,那电子就别想在满轨道和空轨道之间跑顺畅。目前全世界太阳能级高纯硅要求99。9999%,这玩意儿全世界超过一半是国内产的,早被玩成了白菜价。
而高端的芯片用的电子级高纯硅要求99。%,几乎全赖进口,直到十年之后金陵的鑫华公司才实现量产,但超过75%的高纯硅依旧依赖进口。
从现在看,高纯硅国内就是完全依赖进口。
其次第二点,那就是技术层面。
高端的芯片上面,是需要用数以亿计的器件组成庞大的电路,除了硅的纯度之外,还需要足够精密的仪器。
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而首当其冲的,就是光刻机。
光刻机的技术显得尤为重要,越是精密的光刻机技术,就越是能够完成复杂的工艺,而这一点,就是和米国等强国最大的差距。
普通的光刻机国内能够研发出来,但高精端的光刻机,技术却遭到了国外的封锁,甚至在这方面,国内其实落后于米国等国家至少20年的科技!
这落后,国内自然也有问题,而更加重要的是,国外对夏国进行了技术封锁。
为此,米国弄出了一个《瓦森纳协定》这样的不要脸协议,甚至连沙俄都签署了这份协议,为的就是限制国内芯片技术的发展。
这份协议有多不要脸?
敏感技术不能卖,夏国、朝鲜、伊朗、利比亚均是被限制国家,即使是要卖,也必须要米国点头同意。甚至连卖都不能卖给国内,所有的一切都只能依靠国内的科学家们自己研发。
在这份技术上,荷兰的阿斯麦公司横扫天下,甚至传言,谁先买到阿斯麦的光刻机,谁就能率先具备7nm工艺。
更加无耻的是,在后年,国内会成功研制出90nm的光刻机,但前脚国内刚研发出来,后脚米国就会开放90nm光刻机对国内的封锁,当时让无数国人怒骂。
而也就在那个时候,伏李红开始投入光刻机技术研发,并且在八年之后,成功攻破65nm光刻机。
同样的,那个时候米国又开放了65nm光刻机对国内的封锁。
即使是安栎穿越之前,更精密的光刻机技术依旧没有出现,但人家荷兰却已经出现了7nm的光刻机了。
伏李红这个名字,也被米国的无耻操作遮挡了光彩。
但不可否认,这位就是一个在米国封锁之下依旧自强不息的国内科学家,真真正正的科研人员,一个值得敬佩的人物。
而现在,这样一个未来攻克了65nm光刻机的人物就在自己面前。
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